SK hynix ускоряет разработку 3D-стекированной DRAM для ИИ-систем
Компания наращивает темпы создания памяти нового поколения для искусственного интеллекта и мобильных устройств.
SK hynix активизировала разработку 3D-стекированной DRAM, которая размещается поверх логического кристалла. Технология предназначена для оборудования нового поколения, включая системы искусственного интеллекта и мобильные устройства.
Компания начала набор инженеров через свой американский филиал в Сан-Хосе, что подтверждает активную фазу разработки.
SK hynix уже заключила соглашение с клиентом на создание решений на основе этой технологии, но детали партнёра не раскрываются.
Аналогичная технология, 3D V-Cache, применяется в процессорах, но SK hynix адаптирует её для памяти. Это может повысить производительность ИИ-систем за счёт сокращения задержек и увеличения пропускной способности.
Разработка направлена на удовлетворение спроса на мощные и энергоэффективные решения для ИИ.
